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[機(jī)理] 熱處理溫度及摻雜對(duì)氧化鎳電極贗電容器特性的影響

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    發(fā)表于 2017-6-26 14:31:45 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式

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    應(yīng)用電化學(xué)陰極沉積法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜, 經(jīng)熱處理得到NiO膜. 研究了熱處理溫度、鈷摻雜對(duì)NiO膜電極贗電容性能的影響. 結(jié)果發(fā)現(xiàn):在250～500 ℃, 隨著熱處理溫度的升高, NiO膜電極比電容量逐漸減小;鈷摻雜使比電容量顯著增大

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